SK hynix, akıllı telefonlar için 321 katmanlı UFS 4.1 depolamasını duyurdu

SK hynix, akıllı telefonlar için dünyanın ilk 321 katmanlı UFS 4.1 TLC NAND flaşını duyurdu. Şirket, yeni NAND çiplerinin evvelki kuşaktan %15 daha ince olduğunu ve düşük güçte sınıfının en güzel sıralı okuma performansını sunduğunu söylüyor.

PCIe NVMe SSD düzeyinde performans

238 katmana sahip evvelki kuşakla karşılaştırıldığında, bu yeni depolama yongaları %15 daha yüksek rastgele okuma ve %40 daha yüksek rastgele yazma hızlarına sahip. Sıralı okumalar performansı ise 4,3 GB/sn‘e kadar çıkabiliyor. O denli ki, bu performans PCIe NVMe Gen 3 SSD’leri dahi aşabiliyor.

Güney Koreli üretici, performansı arttırken NAND paketini de incelterek 1 mm’den 0,85 mm kalınlığa düşürmeyi başarmış. Ayrıyeten evvelki jenerasyona nazaran güç tüketimini %7 azaltmış.

SK Hynix, sıralı okuma suratının aygıt içi yapay zeka performansını artıracağını ve güzelleştirilmiş rastgele performansın çoklu misyonlarda avantaj sağlayacağını belirtiyor.

Şirket, depolama birimini 512 GB ve 1 TB olmak üzere iki kapasitede üretecek. Münasebetiyle yeni çip üst düzey telefonlarda kendine yer bulacak. SK Hynix, bu yıl akıllı telefon üreticilerinden sipariş almayı ve gelecek yılın başında sevkiyatlara başlamayı planlıyor.